Temperature influence on the growth of gallium by HVPE in a mixed h2/n2 carrier gas. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2004

Temperature influence on the growth of gallium by HVPE in a mixed h2/n2 carrier gas.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00272532 , version 1 (11-04-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00272532 , version 1

Citer

Agnès Trassoudaine, R. Cadoret, Évelyne Gil-Lafon. Temperature influence on the growth of gallium by HVPE in a mixed h2/n2 carrier gas.. Journal of Crystal Growth, 2004, pp.12. ⟨hal-00272532⟩
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