Retention in metal-oxide-semiconductor structures with two embedded self-aligned Ge-nanocrystal layers - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Semicond. Sci. Technol. Année : 2007

Retention in metal-oxide-semiconductor structures with two embedded self-aligned Ge-nanocrystal layers

Marie-Anne Jung  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00250270

Soumis le : lundi 11 février 2008-15:02:55

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:49

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Dates et versions

hal-00250270 , version 1 (11-02-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00250270 , version 1

Citer

S. Duguay, S. Burignat, P. Kern, J.J. Grob, A. Souifi, et al.. Retention in metal-oxide-semiconductor structures with two embedded self-aligned Ge-nanocrystal layers. Semicond. Sci. Technol., 2007, 22, pp. 837-842. ⟨hal-00250270⟩

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