Article Dans Une Revue
Semicond. Sci. Technol.
Année : 2007
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https://hal.science/hal-00250270
Soumis le : lundi 11 février 2008-15:02:55
Dernière modification le : mercredi 18 février 2026-12:28:28
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00250270 , version 1
Citer
S. Duguay, S. Burignat, P. Kern, J.J. Grob, A. Souifi, et al.. Retention in metal-oxide-semiconductor structures with two embedded self-aligned Ge-nanocrystal layers. Semicond. Sci. Technol., 2007, 22, pp. 837-842. ⟨hal-00250270⟩
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