A combined FEG-SEM and TEM study of silicon nanodot deposit - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00214185 , version 1 (23-01-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00214185 , version 1

Citer

P. Donnadieu, F. Roussel, V. Cocheteau, B. Caussat, P. Mur, et al.. A combined FEG-SEM and TEM study of silicon nanodot deposit. Xème Colloque de la Société Française des Microscopies, Jun 2007, France. ⟨hal-00214185⟩

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