Structural properties of Ge-implanted SiO2 layers and related MOS memory effects - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Mater. Sci. Eng. B Année : 2005

Structural properties of Ge-implanted SiO2 layers and related MOS memory effects

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Dates et versions

hal-00207848 , version 1 (18-01-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00207848 , version 1

Citer

S. Duguay, A. Slaoui, Grob J.J., M. Kanoun, S. Burignat, et al.. Structural properties of Ge-implanted SiO2 layers and related MOS memory effects. Mater. Sci. Eng. B, 2005, 124-125, pp.488-493. ⟨hal-00207848⟩

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