Article Dans Une Revue
Mater. Sci. Eng. B
Année : 2005
Marie-Anne Jung : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00207848
Soumis le : vendredi 18 janvier 2008-14:22:23
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:49
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00207848 , version 1
Citer
S. Duguay, A. Slaoui, Grob J.J., M. Kanoun, S. Burignat, et al.. Structural properties of Ge-implanted SiO2 layers and related MOS memory effects. Mater. Sci. Eng. B, 2005, 124-125, pp.488-493. ⟨hal-00207848⟩
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