Preliminary study of 3C-SiC growth from high temperature solution - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00196665 , version 1 (13-12-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00196665 , version 1

Citer

Florian Mercier, D. Chaussende, J.M. Dedulle, M. Pons. Preliminary study of 3C-SiC growth from high temperature solution. Hetero'SiC'07, 2007, France. pp.2. ⟨hal-00196665⟩
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