Wetting an reactivity in Ni-Si/C system : experiments versus model predictions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Materials Science Année : 2007

Wetting an reactivity in Ni-Si/C system : experiments versus model predictions

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00196295 , version 1 (12-12-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00196295 , version 1

Citer

V. Bougiouri, R. Voytovych, O. Dezellus, N. Eustathopoulos. Wetting an reactivity in Ni-Si/C system : experiments versus model predictions. Journal of Materials Science, 2007, 42, pp.2016-2023. ⟨hal-00196295⟩

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UGA CNRS SIMAP
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