Communication Dans Un Congrès
Année : 1995
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https://hal.science/hal-00183564
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-09:21:00
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183564 , version 1
Citer
Nathalie Saysset, Nathalie Labat, Andre Touboul, Yves Danto. Analysis of drain current transients and L.F. channel noise to detect deep levels in HEMTs. International Workshop on Noise and Reliability of Semiconductor Devices, 1995, Czech Republic. pp.1. ⟨hal-00183564⟩
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