Low Frequency Gate Noise in a Diode-Connected MESFET: Measurements and Modeling - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2001

Low Frequency Gate Noise in a Diode-Connected MESFET: Measurements and Modeling

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183496

Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:46

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Dates et versions

hal-00183496 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183496 , version 1

Citer

Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Frédéric Verdier, Andre Touboul, et al.. Low Frequency Gate Noise in a Diode-Connected MESFET: Measurements and Modeling. IEEE Transactions on Electron Devices, 2001, 48, pp.628-633. ⟨hal-00183496⟩

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