Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2003
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https://hal.science/hal-00183492
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:44
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183492 , version 1
Citer
Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Christophe Gaquière, et al.. Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMT's grown on silicon, SiC and sapphire substrates. Microelectronics Reliability, 2003, 43, pp.1. ⟨hal-00183492⟩
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