Article Dans Une Revue
Fluctuation and Noise Letters
Année : 2004
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https://hal.science/hal-00183491
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:44
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183491 , version 1
Citer
Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Christophe Gaquière, et al.. Analysis of Low Frequency Drain current Noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate. Fluctuation and Noise Letters, 2004, 4, pp.1. ⟨hal-00183491⟩
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