Analysis of Two Degradation Mechanisms in GaInP/GaAs Fully Planar HBT Technology - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 1999

Analysis of Two Degradation Mechanisms in GaInP/GaAs Fully Planar HBT Technology

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183475

Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:47:39

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Dates et versions

hal-00183475 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183475 , version 1

Citer

Cristell Maneux, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Yves Danto, et al.. Analysis of Two Degradation Mechanisms in GaInP/GaAs Fully Planar HBT Technology. State-Of-The-Art Program on compound Semiconductros XXX, Ed. Electrochem. Soc, 1999, États-Unis. pp.1. ⟨hal-00183475⟩

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