Analyse de la dégradation des performances des TBH InP/GaAsSb/InP aux forts niveaux de courant - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Analyse de la dégradation des performances des TBH InP/GaAsSb/InP aux forts niveaux de courant

Mohamed Belhaj
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 855519
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Cristell Maneux
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Nathalie Labat
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Andre Touboul
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Muriel Riet
  • Fonction : Auteur
S. Blayac
  • Fonction : Auteur
Myrtil L. Kahn
Jean Godin
  • Fonction : Auteur
Philippe Bove
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183467

Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:47:35

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183467 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183467 , version 1

Citer

Mohamed Belhaj, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul, Muriel Riet, et al.. Analyse de la dégradation des performances des TBH InP/GaAsSb/InP aux forts niveaux de courant. Journées Nationales Microondes 2003, 2003, France. pp.1. ⟨hal-00183467⟩

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