LF excess noise analysis of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal de Physique III Année : 1995

LF excess noise analysis of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183098

Soumis le : lundi 29 octobre 2007-15:31:52

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Dates et versions

hal-00183098 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183098 , version 1

Citer

Nathalie Saysset, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul, Yves Danto, et al.. LF excess noise analysis of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs. Journal de Physique III, 1995, 5, pp.1. ⟨hal-00183098⟩

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