Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 1997
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https://hal.science/hal-00183096
Soumis le : lundi 29 octobre 2007-15:31:52
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183096 , version 1
Citer
Cristell Maneux, Nathalie Labat, Nathalie Saysset, Andre Touboul, Yves Danto. Experimental analysis and 2D simulation of AlGaAs/GaAs HBT base leakage current. Microelectronics Reliability, 1997, 37, pp.1. ⟨hal-00183096⟩
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