On-wafer low frequency noise measurements of SiGe HBTs: Impact of technological improvements on 1/f noise - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2004

On-wafer low frequency noise measurements of SiGe HBTs: Impact of technological improvements on 1/f noise

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183089

Soumis le : lundi 29 octobre 2007-15:31:42

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183089 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183089 , version 1

Citer

Brice Grandchamp, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul, Thomas Zimmer. On-wafer low frequency noise measurements of SiGe HBTs: Impact of technological improvements on 1/f noise. Microelectronics Reliability, 2004, 1, pp.1. ⟨hal-00183089⟩

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