Barrier effects in SiGe HBT: Modeling of high-injection base current increase - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Barrier effects in SiGe HBT: Modeling of high-injection base current increase

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00181982

Soumis le : mercredi 24 octobre 2007-17:28:12

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00181982 , version 1 (24-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00181982 , version 1

Citer

Sébastien Fregonese, Thomas Zimmer, Cristell Maneux, Pierre-Yvan Sulima. Barrier effects in SiGe HBT: Modeling of high-injection base current increase. IEEE Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, 2004, Canada. pp.1. ⟨hal-00181982⟩

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