Base-collector junction charge investigation of Si/SiGe HBT on thin film SOI - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Base-collector junction charge investigation of Si/SiGe HBT on thin film SOI

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00181980 , version 1 (24-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00181980 , version 1

Citer

Sébastien Fregonese, Gregory Avenier, Cristell Maneux, A. Chantre, Thomas Zimmer. Base-collector junction charge investigation of Si/SiGe HBT on thin film SOI. European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC 2005, 2005, France. pp.1. ⟨hal-00181980⟩
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