Progress on new wide bandgap materials BGaN, BGaAlN and their potential applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00181651 , version 1 (24-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00181651 , version 1

Citer

A. Ougazzaden, S. Gautier, T. Aggerstam, J. Martin, S. Ould Saad Hamadi, et al.. Progress on new wide bandgap materials BGaN, BGaAlN and their potential applications. Symposium on Integrated Optoelectronic Devices, 2007, San Jose, United States. ⟨hal-00181651⟩
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