Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2007
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https://hal.science/hal-00168899
Soumis le : jeudi 30 août 2007-16:38:24
Dernière modification le : jeudi 19 octobre 2023-15:45:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00168899 , version 1
Citer
A. Ougazzaden, S. Gautier, C. Sartel, Nabila Maloufi, J. Martin, et al.. BGaN materials on GaN/Sapphire substrate by MOVPE using N2 carrier gas. Journal of Crystal Growth, 2007, 298, pp.316-319. ⟨hal-00168899⟩
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