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Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Réalisation de transistors sur substrat souple à partir de silicium amorphe déposé à basse température puis cristallisé par laser excimère

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00167910 , version 1 (23-08-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00167910 , version 1

Citer

Tanguy Pier, Tayeb Mohammed-Brahim, Hervé Lhermite. Réalisation de transistors sur substrat souple à partir de silicium amorphe déposé à basse température puis cristallisé par laser excimère. JNRDM 2005, May 2005, Paris, France. ⟨hal-00167910⟩
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