Stabilité des interactions silicium-hydrogène sous irradiation optique ou électronique dans les semiconducteurs à base de GaAs. Application à la fiabilité et à la nanofabrication de composants III-V - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Autre Publication Scientifique Année : 2002

Stabilité des interactions silicium-hydrogène sous irradiation optique ou électronique dans les semiconducteurs à base de GaAs. Application à la fiabilité et à la nanofabrication de composants III-V

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00162706 , version 1 (16-07-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00162706 , version 1

Citer

S. Silvestre. Stabilité des interactions silicium-hydrogène sous irradiation optique ou électronique dans les semiconducteurs à base de GaAs. Application à la fiabilité et à la nanofabrication de composants III-V. 2002. ⟨hal-00162706⟩
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