Communication Dans Un Congrès
Année : 2000
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https://hal.science/hal-00159032
Soumis le : lundi 2 juillet 2007-11:02:39
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00159032 , version 1
Citer
B. Boudart, S. Trassaert, Christophe Gaquière, D. Theron, Y. Crosnier, et al.. GaN MESFETs for power and high temperature applications. NearEst Miniworkshop on Advances in the Wide Bandgap Electronics and Opto-Electronics, 2000, Padova, Italy. ⟨hal-00159032⟩
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