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Communication Dans Un Congrès Année : 2000

GaN MESFETs for power and high temperature applications

S. Trassaert
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
D. Theron
Y. Crosnier
  • Fonction : Auteur
François Huet
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
I. Daumiller
  • Fonction : Auteur
E. Kohn
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00159032 , version 1 (02-07-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00159032 , version 1

Citer

B. Boudart, S. Trassaert, Christophe Gaquière, D. Theron, Y. Crosnier, et al.. GaN MESFETs for power and high temperature applications. NearEst Miniworkshop on Advances in the Wide Bandgap Electronics and Opto-Electronics, 2000, Padova, Italy. ⟨hal-00159032⟩
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