Communication Dans Un Congrès Année : 2000

Modélisation des défauts étendus pour la diffusion transitoire accélérée du bore

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00158540 , version 1 (29-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00158540 , version 1

Citer

E. Lampin, V. Senez, Alain Claverie. Modélisation des défauts étendus pour la diffusion transitoire accélérée du bore. 1ère Journée Nationale Impuretés et Défauts dans les Composants Ultimes, GDR Nanoélectronique : du silicium à la molécule, 2000, Orsay, France. ⟨hal-00158540⟩
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