Communication Dans Un Congrès
Année : 2000
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https://hal.science/hal-00158443
Soumis le : vendredi 29 juin 2007-08:01:49
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00158443 , version 1
Citer
X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot. Growth of strained Ga1-xInxP layers on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy : similarities and differences with the growth of strained arsenides. 2000, pp.255-259. ⟨hal-00158443⟩
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