Communication Dans Un Congrès
Année : 2000
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00158442
Soumis le : vendredi 29 juin 2007-08:01:49
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00158442 , version 1
Citer
X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot. Growth of strained Ga1-xInxP layers on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy : comparison with the GaInAs/GaAs system. 2000, pp.231-234. ⟨hal-00158442⟩
Collections
28
Consultations
0
Téléchargements