Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2000
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https://hal.science/hal-00158228
Soumis le : jeudi 28 juin 2007-11:43:30
Dernière modification le : lundi 5 août 2024-14:50:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00158228 , version 1
Citer
M. Stellmacher, J. Nagle, Jean-Francois Lampin, P. Santoro, J. Vaneecloo, et al.. Dependence of the carrier lifetime on acceptor concentration in GaAs grown at low-temperature under different growth and annealing conditions. Journal of Applied Physics, 2000, 88, pp.6026-6031. ⟨hal-00158228⟩
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