Communication Dans Un Congrès
Année : 2000
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https://hal.science/hal-00157905
Soumis le : mercredi 27 juin 2007-11:37:52
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00157905 , version 1
Citer
M. Vanmackelberg, L. Picheta, C. Raynaud, J.L. Pelloie, F. Martin, et al.. High frequency noise parameters of 0.25 µm SOI MOSFETs : comparison between fully and partially-depleted devices. 2000, pp.51-54. ⟨hal-00157905⟩
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