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Communication Dans Un Congrès Année : 2000

High frequency noise parameters of 0.25 µm SOI MOSFETs : comparison between fully and partially-depleted devices

M. Vanmackelberg
  • Fonction : Auteur
L. Picheta
  • Fonction : Auteur
C. Raynaud
J.L. Pelloie
  • Fonction : Auteur
F. Martin
  • Fonction : Auteur
D. Vanhoenacker
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00157905 , version 1 (27-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00157905 , version 1

Citer

M. Vanmackelberg, L. Picheta, C. Raynaud, J.L. Pelloie, F. Martin, et al.. High frequency noise parameters of 0.25 µm SOI MOSFETs : comparison between fully and partially-depleted devices. 2000, pp.51-54. ⟨hal-00157905⟩
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