An accurate and efficient high frequency noise simulation technique for deep submicron MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2000

An accurate and efficient high frequency noise simulation technique for deep submicron MOSFETs

J.S. Goo
  • Fonction : Auteur
C.H. Choi
  • Fonction : Auteur
E. Morifuji
  • Fonction : Auteur
H.S. Momose
  • Fonction : Auteur
Z. Yu
  • Fonction : Auteur
H. Iwai
  • Fonction : Auteur
T.H. Lee
  • Fonction : Auteur
R.W. Dutton
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00157860 , version 1 (27-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00157860 , version 1

Citer

J.S. Goo, C.H. Choi, Francois Danneville, E. Morifuji, H.S. Momose, et al.. An accurate and efficient high frequency noise simulation technique for deep submicron MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47, pp.2410-2419. ⟨hal-00157860⟩
17 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More