Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2000
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00157860
Soumis le : mercredi 27 juin 2007-11:08:37
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00157860 , version 1
Citer
J.S. Goo, C.H. Choi, Francois Danneville, E. Morifuji, H.S. Momose, et al.. An accurate and efficient high frequency noise simulation technique for deep submicron MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47, pp.2410-2419. ⟨hal-00157860⟩
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