Communication Dans Un Congrès
Année : 2004
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https://hal.science/hal-00154886
Soumis le : vendredi 15 juin 2007-07:37:54
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00154886 , version 1
Citer
Francois Danneville, G. Pailloncy, Gilles Dambrine, B. Iniguez. RF and noise properties of SOI MOSFETs, including the influence of a direct tunneling gate current. 2004, pp.103-110. ⟨hal-00154886⟩
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