Article Dans Une Revue
Archives of Metallurgy and Materials
Année : 2006
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00152968
Soumis le : vendredi 8 juin 2007-09:25:43
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00152968 , version 1
Citer
A. Laszcz, A. Czerwinski, J. Ratajczak, J. Katcki, N. Breil, et al.. TEM study of iridium silicide contact layers for low Schottky barrier MOSFETs. Archives of Metallurgy and Materials, 2006, 51, pp.551-554. ⟨hal-00152968⟩
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