Electrical effects of SiNX deposition on GaN MESFETs - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2001

Electrical effects of SiNX deposition on GaN MESFETs

B. Boudart
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Christophe Gaquière
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00152596

Soumis le : jeudi 7 juin 2007-10:52:20

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152596 , version 1 (07-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152596 , version 1

Citer

B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson. Electrical effects of SiNX deposition on GaN MESFETs. Electronics Letters, 2001, 37, pp.527-528. ⟨hal-00152596⟩

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