Electrical effects of SiNX deposition on GaN MESFETs - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2001

Electrical effects of SiNX deposition on GaN MESFETs

Christophe Gaquière
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152596 , version 1 (07-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152596 , version 1

Citer

B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson. Electrical effects of SiNX deposition on GaN MESFETs. Electronics Letters, 2001, 37, pp.527-528. ⟨hal-00152596⟩
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