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Communication Dans Un Congrès Année : 2001

Propriétés de nanostructures InAs réalisées par épitaxie par jets moléculaires sur des couches tampons AlInAs et GaInAs désadaptées sur substrat GaAs

P. Miska
  • Fonction : Auteur
D. Vignaud
D. Ferre
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152090 , version 1 (06-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152090 , version 1

Citer

Y. Cordier, P. Miska, D. Vignaud, D. Ferre. Propriétés de nanostructures InAs réalisées par épitaxie par jets moléculaires sur des couches tampons AlInAs et GaInAs désadaptées sur substrat GaAs. 8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France. ⟨hal-00152090⟩
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