Etude des contacts ohmiques et Schottky sur nitrure de gallium pour composants à effets de champ - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Etude des contacts ohmiques et Schottky sur nitrure de gallium pour composants à effets de champ

Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Raphaël Aubry
  • Fonction : Auteur
Alcatel-Thalès III-V lab
Yannick Guhel
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
A. Minko
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Nicolas Vellas
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1105228
Matthieu Werquin
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1105225
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
B. Boudart
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
Simone Cassette
  • Fonction : Auteur
Thomson-CSF Laboratoire Central de Recheche
Yvon Cordier
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Sylvain Laurent Delage
  • Fonction : Auteur
THALES [France]
E. Delos
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Damien Ducatteau
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
H. Gerard
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-00149717

Soumis le : lundi 28 mai 2007-11:21:44

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149717 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149717 , version 1

Citer

Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, et al.. Etude des contacts ohmiques et Schottky sur nitrure de gallium pour composants à effets de champ. GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France. ⟨hal-00149717⟩

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