Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2002

Load impedance influence of the IDD(VDS) characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in large signal regime at 4 GHz

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149699 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149699 , version 1

Citer

Nicolas Vellas, Christophe Gaquière, Frédéric Bue-Erkmen, Yannick Guhel, B. Boudart, et al.. Load impedance influence of the IDD(VDS) characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in large signal regime at 4 GHz. IEEE Electron Device Letters, 2002, 23, pp.246-249. ⟨hal-00149699⟩
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