Effects of high temperature on the electrical behavior of AlGaN/GaN HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microwave and Optical Technology Letters Année : 2002

Effects of high temperature on the electrical behavior of AlGaN/GaN HEMTs

B. Boudart
Virginie Hoel
M. Werquin
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Jean-Claude de Jaeger
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
I. Daumiller
  • Fonction : Auteur
E. Kohn
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149695 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149695 , version 1

Citer

Y. Guhel, B. Boudart, Virginie Hoel, M. Werquin, Christophe Gaquière, et al.. Effects of high temperature on the electrical behavior of AlGaN/GaN HEMTs. Microwave and Optical Technology Letters, 2002, 34, pp.4-6. ⟨hal-00149695⟩
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