Article Dans Une Revue
Microwave and Optical Technology Letters
Année : 2002
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00149695
Soumis le : lundi 28 mai 2007-11:04:01
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00149695 , version 1
Citer
Y. Guhel, B. Boudart, Virginie Hoel, M. Werquin, Christophe Gaquière, et al.. Effects of high temperature on the electrical behavior of AlGaN/GaN HEMTs. Microwave and Optical Technology Letters, 2002, 34, pp.4-6. ⟨hal-00149695⟩
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