Mechanism Of Orientation Selection For The Growth Of (111) Twin Boundary Free 3C-SiC Single Crystals On Hexagonal Basis - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Mechanism Of Orientation Selection For The Growth Of (111) Twin Boundary Free 3C-SiC Single Crystals On Hexagonal Basis

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Matériaux Génie des procédés

Yannick Champion  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00149093

Soumis le : jeudi 24 mai 2007-13:43:26

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149093 , version 1 (24-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149093 , version 1

Citer

L. Latu-Romain, D. Chaussende, L. Rapenne, M. Pons, R. Madar. Mechanism Of Orientation Selection For The Growth Of (111) Twin Boundary Free 3C-SiC Single Crystals On Hexagonal Basis. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2006, Newcastle, United Kingdom. pp.199-202. ⟨hal-00149093⟩

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