Impact of WSix Metal Gate Stoichiometry on Fully Depleted SOI MOSFETs Electrical Properties - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Impact of WSix Metal Gate Stoichiometry on Fully Depleted SOI MOSFETs Electrical Properties

J. Widiez
  • Fonction : Auteur
M. Vinet
B. Guillaumot
  • Fonction : Auteur
X. Garros
  • Fonction : Auteur
S. Minoret
  • Fonction : Auteur
T. Poiroux
  • Fonction : Auteur
O. Weber
  • Fonction : Auteur
L. Thévenod
  • Fonction : Auteur
P. Holliger
  • Fonction : Auteur
B. Previtali
  • Fonction : Auteur
Vincent Barral
  • Fonction : Auteur
K. Sidi Ali Cherif
  • Fonction : Auteur
P. Grosgeorges
  • Fonction : Auteur
A. Toffoli
  • Fonction : Auteur
S. Maîtrejean
  • Fonction : Auteur
M. Cassé
F. Martin
  • Fonction : Auteur
D. Lafond
  • Fonction : Auteur
O. Faynot
  • Fonction : Auteur
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147166 , version 1 (16-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147166 , version 1

Citer

J. Widiez, M. Vinet, B. Guillaumot, X. Garros, S. Minoret, et al.. Impact of WSix Metal Gate Stoichiometry on Fully Depleted SOI MOSFETs Electrical Properties. International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications (VLSI-TSA), 2006, Taiwan, Taiwan. pp.117-118. ⟨hal-00147166⟩

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