LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146685 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146685 , version 1

Citer

Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Maurice Tordjman, A. Romann, M. Magis, Raphaël Aubry, et al.. LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide. Proceedings of the Fifth International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-5, 2003, Nara, Japan. ⟨hal-00146685⟩
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