Power results at 4 GHz of AlGaN/GaN HEMTs on high resistive silicon (111) substrate - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Microwave and Wireless Components Letters Année : 2003

Power results at 4 GHz of AlGaN/GaN HEMTs on high resistive silicon (111) substrate

N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Christophe Gaquière
A. Minko
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Jean-Claude de Jaeger
Y. Cordier
F. Semond
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00146662

Soumis le : mardi 15 mai 2007-11:11:40

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146662 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146662 , version 1

Citer

N. Vellas, Christophe Gaquière, A. Minko, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, et al.. Power results at 4 GHz of AlGaN/GaN HEMTs on high resistive silicon (111) substrate. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2003, 13, pp.255-257. ⟨hal-00146662⟩

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