Article Dans Une Revue
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
Année : 2003
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https://hal.science/hal-00146662
Soumis le : mardi 15 mai 2007-11:11:40
Dernière modification le : vendredi 6 février 2026-11:44:10
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00146662 , version 1
Citer
N. Vellas, Christophe Gaquière, A. Minko, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, et al.. Power results at 4 GHz of AlGaN/GaN HEMTs on high resistive silicon (111) substrate. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2003, 13, pp.255-257. ⟨hal-00146662⟩
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