Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2003
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https://hal.science/hal-00146648
Soumis le : mardi 15 mai 2007-11:00:30
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00146648 , version 1
Citer
M. Zaknoune, M. Ardouin, Y. Cordier, S. Bollaert, B. Bonte, et al.. 60-GHz high power performance In0.32 Al0.68 As-In0.33 Ga 0.67 As metamorphic HEMTs on GaAs. IEEE Electron Device Letters, 2003, 24, pp.724-726. ⟨hal-00146648⟩
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