Article Dans Une Revue
International Electron Device Meeting (IEDM) Tech. Digest
Année : 2005
Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00146169
Soumis le : lundi 14 mai 2007-11:35:37
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:55:28
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00146169 , version 1
Citer
Jean-Luc Autran. Ballistic transport in Si, Ge, and GaAs nanowire MOSFETs. International Electron Device Meeting (IEDM) Tech. Digest, 2005, XX, pp.533. ⟨hal-00146169⟩
80
Consultations
0
Téléchargements