Ballistic transport in Si, Ge, and GaAs nanowire MOSFETs - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue International Electron Device Meeting (IEDM) Tech. Digest Année : 2005

Ballistic transport in Si, Ge, and GaAs nanowire MOSFETs

Jean-Luc Autran
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique

Domaines

Traitement du signal et de l'image [eess.SP] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electromagnétisme Traitement du signal et de l'image [eess.SP]

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Soumis le : lundi 14 mai 2007-11:35:37

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:00:33

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Dates et versions

hal-00146169 , version 1 (14-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146169 , version 1

Citer

Jean-Luc Autran. Ballistic transport in Si, Ge, and GaAs nanowire MOSFETs. International Electron Device Meeting (IEDM) Tech. Digest, 2005, XX, pp.533. ⟨hal-00146169⟩

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