Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2006
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00145521
Soumis le : jeudi 10 mai 2007-15:18:43
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:26:35
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00145521 , version 1
Citer
M. Cassé L. Thévenod B. Guillaumot L. Tosti F. Martin J. Mitard O. Weber F. Andrieu T. Ernst G. Reimbold T. Billon M. Mouis F. Boulanger. Carrier transport in HfO2 metal gate MOSFETs : a physical insight into critical parameters. IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53 n°4, pp.759-768. ⟨hal-00145521⟩
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