Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Année : 2006
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https://hal.science/hal-00145510
Soumis le : jeudi 10 mai 2007-15:07:23
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:02:47
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00145510 , version 1
Citer
G. Ribes S. Bruyère D. Roy C. Parthasarathy M. Muller M. Denais V. Huard T. Skotnicki, G. Ghibaudo. Origin of Vt instabilities in high-k dielectrics: Jahn-Tellet effects or oxygen vacancies. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2006, 6, pp.132. ⟨hal-00145510⟩
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