Performance and Physics of sub-50nm Strained Si on Si1-xGex-On-Insulator (SGOI) MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2006

Performance and Physics of sub-50nm Strained Si on Si1-xGex-On-Insulator (SGOI) MOSFETs

T. Ernst
  • Fonction : Auteur
O. Faynot
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O. Rozeau
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Y. Bogumilowicz
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J.M. Hartmann
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L. Brévard
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A. Toffoli
  • Fonction : Auteur
D. Lafond
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B. Ghyselen
  • Fonction : Auteur
F. Fournel
  • Fonction : Auteur
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00145501 , version 1 (10-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145501 , version 1

Citer

F. Andrieu, T. Ernst, O. Faynot, O. Rozeau, Y. Bogumilowicz, et al.. Performance and Physics of sub-50nm Strained Si on Si1-xGex-On-Insulator (SGOI) MOSFETs. Solid-State Electronics, 2006, 50, pp.566. ⟨hal-00145501⟩

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