Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2006
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00145495
Soumis le : jeudi 10 mai 2007-14:51:03
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:25:49
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00145495 , version 1
Citer
K. Akarvardar S. Ccristoloveanu P. Gentil. Analytical modeling of the two-dimensional potential distribution and threshold voltage of the SOI four-gate transistor. IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53, n± 10, pp.2569-2577. ⟨hal-00145495⟩
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