Analytical Compact Model for Quantization in Undoped Double-Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors and Its Impact on Quasi-Ballistic Current - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Jpn. J. Appl. Phys Année : 2006

Analytical Compact Model for Quantization in Undoped Double-Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors and Its Impact on Quasi-Ballistic Current

M. Ferrier
  • Fonction : Auteur
R. Clerc
G. Pananakakis
  • Fonction : Auteur
F. Bœuf
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00145451 , version 1 (10-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145451 , version 1

Citer

M. Ferrier, R. Clerc, G. Pananakakis, Gérard Ghibaudo, F. Bœuf, et al.. Analytical Compact Model for Quantization in Undoped Double-Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors and Its Impact on Quasi-Ballistic Current. Jpn. J. Appl. Phys, 2006, 45, Part 1, No. 4B, pp.3088-3096. ⟨hal-00145451⟩

Collections

UGA CNRS
19 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More