Influence of band-structure on electron ballistic transport in Silicon nanowire MOSFET's: an atomistic study - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2006

Influence of band-structure on electron ballistic transport in Silicon nanowire MOSFET's: an atomistic study

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00145446 , version 1 (10-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145446 , version 1

Citer

Daniela Munteanu. Influence of band-structure on electron ballistic transport in Silicon nanowire MOSFET's: an atomistic study. Solid-State Electronics, 2006, 50, pp.716. ⟨hal-00145446⟩

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