Influence of band-structure on electron ballistic transport in Silicon nanowire MOSFET's: an atomistic study - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2006

Influence of band-structure on electron ballistic transport in Silicon nanowire MOSFET's: an atomistic study

Daniela Munteanu
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00145446

Soumis le : jeudi 10 mai 2007-13:19:56

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:46:44

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hal-00145446 , version 1 (10-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145446 , version 1

Citer

Daniela Munteanu. Influence of band-structure on electron ballistic transport in Silicon nanowire MOSFET's: an atomistic study. Solid-State Electronics, 2006, 50, pp.716. ⟨hal-00145446⟩

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